6月12日，全球知名軟件公司美國新思科技透露，該公司正在位于光谷東部的武漢未來科技城，投資建設全球研發產業園。這是新思科技除硅谷總部外，首次在國外置地投建產業園。此前，新思科技已在未來科技城成立全球研發中心。

該產業園位于未來科技城核心區，毗鄰光谷地標“馬蹄蓮”大樓及華為武漢研發基地，正在建設包括2棟研發大樓和1棟配套設施樓，預計2019年底建成投用。

2012年，在我省“雙城雙谷”戰略下，光谷與硅谷架起高科技的“空中走廊”，往來日益密切。新思科技當年與武漢市政府達成協議，在中國光谷設立研發和技術支持中心。

次年，新思科技武漢研發中心在未來科技城揭牌，后升級為全球研發中心。它與硅谷大本營以及世界各地的研發中心一道，服務于新思科技的全球軟件研發業務。

新思科技武漢全球研發中心總經理胡雋介紹，該中心目前擁有超過200名員工，其中90%為研發工程師，平均年齡不到30歲，非常年輕。

近年來，中國集成電路產業快速崛起，信息安全產業高歌猛進，新思科技決定在中國增強研發力量，規劃建設全球研發產業園。

值得注意的是，在新思科技的中國布局中，武漢并不是第一個進入的城市，也不是一線城市。自1995年進入中國市場，新思科技已在北京、上海、深圳、廈門、西安、南京、香港及澳門等多地設立機構，建立了技術研發和支持服務體系。

其全球研發產業園為什么選擇武漢？新思科技高級安全架構師楊國梁坦言，自成立武漢全球研發中心以來，武漢團隊的表現非常優異，年輕人才儲備豐富。隨著國家存儲器基地等重大戰略項目落戶，武漢已成為中國集成電路產業的重要一極，這也印證了新思科技加碼武漢布局是正確的。“除了美國總部，我們還從未在世界任何地方自購土地建設產業園。”

據悉，該產業園落成后，新思科技中國團隊也會隨之壯大，并對集成電路、設計工具、軟件安全的研發有更多投入。武漢研發團隊預計將擴大至500多人。

武漢未來科技城建設管理辦公室負責人稱，眼下，國家存儲器基地已從廠房建設階段進入生產準備階段。年內，32層3D NAND閃存芯片將實現量產。新思科技在光谷設立全球研發中心及產業園，對吸引海內外集成電路上下游企業落戶，推動和完善光谷集成電路產業集聚，構建“芯屏端網”萬億產業集群有積極促進作用。